馬佐平院士研究領域集中半導體、積體電路和前緣記憶儲存科技，在電晶體材料及器件物理方面有傑出貢獻，國立交通大學17日頒贈名譽博士學位，表彰推動全球半導體科技進展和教育傑出人才貢獻。
馬佐平院士生在蘭州，1949年隨父母到臺灣，臺灣大學電機系畢業前往美國耶魯大學深造，在IBM工作三年後返回耶魯大學教學、研究直至今日；現為耶魯大學電子工程系Raymond John Wean講座教授，並擔任耶魯微電子研究中心共同主任，也是中央研究院院士、美國國家工程院院士，並入選IEEE終生Fellow（Life Fellow）。
張懋中校長表示，馬佐平院士以半導體物理科技專長享譽國際，在MOS閘極介質的科技領域內，有領先性的研究成果，首倡以氮化矽作為MOS柵介質取代二氧化矽的概念，對後來高介質常數的柵介質研究有重要啟發性，為半導體科技邁進全新時代帶來重要影響。其所培育的學生也成為半導體和電腦硬體領域的先驅。
馬佐平院士研究領域集中半導體、積體電路和前緣記憶儲存科技，在電晶體材料及器件物理方面有傑出貢獻，因而得到IEEE Andrew Grove獎、美國半導體工業協會（SIA）大學研究獎；其學術成就也獲頒耶魯科學和工程協會（YSEA）2015年基礎及應用科學年度獎。30年來每年返國與國內產、學界及研究機構交流、講學，並受聘為台積電及旺宏等公司的顧問逾10年。2014年與團隊創立最新型半導體記憶儲存體公司，計畫在美國及臺灣實現產業化理想，並推進大陸市場。
馬佐平院士表示他與交大淵源久遠，留學時交大設立電子研究所，台積電總經理暨共同執行長魏哲家博士就是取得交大研究所碩士後進入耶魯大學實驗室的博士生；大學同儕吳慶源教授、李崇仁教授先後至交大任教，對臺灣半導體產業、電子業帶來巨大貢獻。
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