半導體傳奇巨頭、力積電創辦人黃崇仁董事長於 7 月 31 日安詳辭世，就在各界感念其一生橫跨 DRAM 到晶圓代工的波瀾壯闊人生之際，告別黃董的第 4 天（8 月 4 日），台股盤面上記憶體族群迎來爆發性的全面大彈升！指標大廠力積電（6770.TW）盤中爆出逾 14.5 萬張巨量，強勢攻上漲停價 60.10 元；帶動南亞科（2408.TW）、旺宏（2337.TW）、華邦電（2344.TW）及晶豪科（3006.TW）等黃董生前看好或交鋒多年的記憶體同業，全數逼近或亮燈漲停。相較於先前已有一波漲幅的被動元件，記憶體族群以「超低基期、高轉機」的凌厲爆發力，成為大資金搶捧的核心焦點。
繼承黃崇仁「記憶體帝國」願景 力積電轉型 AI Foundry 迎轉機
黃崇仁一生被譽為台灣半導體界的「九命怪貓」，1994 年創立力晶半導體（力積電前身），自此建構起龐大的記憶體與晶圓代工版圖。他經歷過 DRAM 產業暴漲暴跌、背負 1,200 億元鉅債下市的至暗時刻，卻力挽狂瀾還清債務，成功帶領力積電重返資本市場。生前最後一次公開場合中，他仍念茲在茲地推動公司轉型為「AI Foundry」，全力布局特用記憶體、3D AI 晶片堆疊與先進封裝。如今在他離世第 4 天力積電強攻漲停，被市場視為黃董生前擘畫的記憶體與 AI 代工版圖獲得資金熱烈認同的「傳奇禮物」。
法人分析，被動元件先前評價已陸續反映；反觀記憶體族群經歷長時間的回檔打底（如華邦電自 238.5 元修整至 83.8 元），籌碼極度乾淨。在現貨與合約報價確立止跌回升、搭配黃董遺留下來的轉機性與極低基期優勢下，補漲與攻擊力道一舉蓋過被動元件。
HBM 排擠效應發酵 市況迎歷史性供需缺口
現階段記憶體市況正處於結構性轉折點。全球三大記憶體巨頭（三星、SK海力士、美光）正將產能全力轉向高獲利的 HBM（高頻寬記憶體）與 DDR5 以供應 AI 伺服器。此舉產生嚴重的「供給側排擠效應」，導致傳統 DDR4、LPDDR4x 及利基型 DRAM 供給銳減，供需缺口比預期更早爆發。台灣記憶體台廠包含晶豪科、南亞科與華邦電等隨即迎來大量轉單與漲價紅利；旺宏受惠 Edge AI 帶動的高容量 NOR Flash 需求；而力積電也在特用記憶體代工與 3D 整合晶片需求大增下，產能利用率快速回升。
業界：AI 時代記憶體狂潮才剛開始
對於記憶體後市，業界人士明確指出：「AI 時代對記憶體的消耗才剛拉開序幕！」主要有三大核心驅動力：
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打破「記憶體高牆 (Memory Wall)」：GPU 與 NPU 運算達到極致後，資料傳輸頻寬成為最大瓶頸，驅使 AI 伺服器對 DRAM 的單機需求拉升至傳統伺服器的 8 倍以上。
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邊緣端 AI (Edge AI) 引爆換機潮：AI PC 將記憶體門檻強制推升至 32GB/64GB，AI 手機對高規格記憶體需求亦翻倍，將帶來長達數年的實體消耗量。
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製造門檻極高，產業獲利週期拉長：從 HBM3e 邁向 HBM4，製造難度直逼先進邏輯晶片，廠商無法隨意擴產削價，使產業高毛利的黃金週期大幅延長。
從黃崇仁當年建立的 DRAM 產能基石，到如今台廠迎接 AI 算力浪潮，記憶體已從過往的「景氣循環大宗物資」升格為「AI 戰略物資」。在黃董未竟的記憶體版圖與 AI 長線剛需雙重帶動下，台系記憶體供應鏈的獲利爆發期方興未艾。
