全球AI與高效能運算（HPC）浪潮持續推進，帶動半導體產業迎來新一輪「算力與記憶體協同設計（Logic-Memory Co-Design）」的架構革新。近期，晶片巨頭英特爾（Intel）宣佈重新重組記憶體與系統架構佈局；此前，2026年4月台灣晶圓代工大廠聯電（UMC）亦傳出攜手矽智財（IP）大廠力旺（eMemory），跨足客製化記憶體製造，顯見記憶體已從傳統大宗標準料件（Commodity），升級為決定晶片效能與差異化的戰略賽道。
英特爾挖角SK海力士高管 暗示「CPU+記憶體」3D堆疊新路線
英特爾執行長陳立武於公開播客節目中透露，英特爾正加速研發「新型記憶體架構」，並已成功挖角前SK海力士高管 Shil Lee 加入團隊。陳立武坦承伺服器與資料中心業務過去曾走過彎路，但隨著頂尖CPU、GPU與系統架構師的回歸，英特爾將記憶體列為重奪算力主導權的核心重點。
業界專家分析，在現今HBM（高頻寬記憶體）由SK海力士與三星主導的局勢下，英特爾重整記憶體戰略，著眼的並非傳統DRAM或NVM產品，而是跳脫傳統框架，走向「近記憶體運算（Near-Memory Computing）」或「CPU與記憶體3D堆疊整合」的新路徑。此舉代表IDM大廠試圖透過算力與記憶體的整合設計，打破記憶體牆（Memory Wall）的效能瓶頸。
聯電攜手力旺變身「記憶體黑馬」 日本廠切入2D NAND與成熟製程差異化
因應全球NAND Flash供應緊縮，台灣成熟製程大廠聯電亦展現彈性佈局。市場消息指出，日本記憶體大廠尋求產能支援，聯電日本廠將結合力旺提供的關鍵記憶體IP與電路設計，共同切入2D NAND製造。
資策會（MIC）產業顧問鄭凱安指出，記憶體電路結構相對單純，晶圓代工廠切入門檻相對較低。面對中國中芯國際、華虹半導體等成熟製程產能大規模擴建的價格競爭壓力，台灣晶圓代工廠積極轉向特殊製程與高附加價值應用。聯電攜手力旺的分工模式（力旺出IP、聯電出製程），能大幅降低進入門檻並加速產品落地。
此外，聯電執行長王石於法說會中指出，22奈米邏輯及特殊製程需求熱絡，首季營收佔比已達14%新高，預計今年底將有超過50家客戶完成 Tape-out。聯電也持續深化與英特爾在12奈米製程上的合作，並佈局鈮酸鋰薄膜（TFLN）光子技術支援AI基礎設施，積極鞏固成熟與特殊製程的領先地位。
產業評析：台灣半導體供應鏈受惠與受影響廠商盤點
隨著「算力+記憶體」協同設計趨勢確立，加上成熟製程轉向特殊記憶體與高附加價值領域，台灣半導體產業鏈多家廠商將迎來新的機會與挑戰：
1. 直接與間接受惠台廠
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力旺 (3529)：【直接受惠】
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受惠原因：作為記憶體矽智財（IP）龍頭，與聯電在日本廠合作提供2D NAND關鍵IP與電路設計，業務範疇從嵌入式非揮發性記憶體（eNVM）進一步擴展，可獲得穩定的權利金與授權金收入。
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聯電 (2303)：【直接受惠】
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受惠原因：透過與日本大廠及力旺合作切入客製化記憶體製造，避開中國大陸成熟製程低價競爭；同時深化與英特爾的12奈米合作及22奈米特殊製程，優化整體產品組合與毛利率。
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先進封裝與先進測試供應鏈（如台積電 2330、日月光投控 3711、京元電子 2449）：【趨勢受惠】
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受惠原因：英特爾推動CPU+記憶體堆疊與近記憶體運算，更加確立晶片3D堆疊與異質整合（Heterogeneous Integration）趨勢。台灣封測大廠及先進封裝生態圈將持續受惠於高效能運算對小晶片（Chiplet）與高級封裝的需求。
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矽智財（IP）與ASIC設計服務廠（如世芯-KY 3661、創意 3443）：【長線受惠】
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受惠原因：算力與記憶體的協同設計增加了客製化IC（ASIC）的複雜度，對於高性能記憶體介面IP與架構設計服務的需求大幅提升。
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2. 面臨競爭或挑戰之台廠
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既有中低階記憶體製造廠（如力積電 6770、旺宏 2337、華邦電 2344）：【中短期面臨挑戰/學習曲線觀察】
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影響原因：專家指出聯電切入客製化記憶體短期仍有學習曲線，但晶圓代工廠（如聯電）攜手IP廠切入特殊記憶體領域，長期可能對傳統記憶體製造廠在特定客製化或中低階NAND/NOR市場形成新競爭壓力；不過若記憶體整體供需持續緊縮，短期內仍可同享產業復甦紅利。
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純成熟邏輯代工同業：【面臨轉型壓力】
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影響原因：未及時轉型特殊製程（Specialty Technology）或客製化記憶體的成熟製程廠，未來恐面臨中國業者產能釋放後的價格戰威脅。
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從英特爾挖角高管轉向堆疊架構，到聯電攜手力旺搶進日本記憶體製造，半導體產業正告別過去「邏輯晶片與記憶體劃清界線」的傳統分工。未來，能掌握「算力+記憶體整合能力」及「特殊製程差異化」的廠商，將在下一輪AI與資料中心的算力競賽中脫穎而出。
▲力旺日K線圖(圖片來源:Yahoo股市)
