黃仁勳在CES展談到下一代Vera Rubin平台不需要用到水冷式冷卻機，瞬間澆熄市場對水冷散熱的高度期待，相關散熱股紛紛重挫，不禁令人好奇，下一代的散熱是什麼？投資方向在哪裡？
眾所皆知，AI晶片瓦數越來越高，散熱需求從H100的700W提升到GB300的1400W未來Rubin會提升到2000W~3000W以上，散熱技術也從傳統的氣冷，進階到液冷，甚至把整台伺服器浸到水冷液裡，稱之為「浸沒式散熱」，也是現在GB200或GB300通用的散熱技術。
微通道散熱將取代浸沒式散熱
市場誤解黃仁勳的話語，Vera Rubin並非不需要水冷散熱，而是不再搭配冰主機預冷，過去必須將水冷卻至7°C左右，現在用45°C溫水就能帶走晶片熱能(工作溫度80~90°C)，為何不用冰主機？其實這隱含下一代散熱技術─微通道液冷(MCL)或微通道散熱板(MLCP)---將會取代現行的浸沒式散熱。
去年十月，微軟發布「微流體」散熱技術，在晶片背面蝕刻出微米級通道，讓冷卻液直接流過晶片高發熱區並將熱能帶走，比起浸沒式冷卻更接近熱點，經過實測，每平方公分可帶走1kw熱能，散熱效能是傳統冷板的三倍、GPU峰值溫度可下將約65%。
由於液冷是直接通過晶片，某些情況在高溫70°C下依然有效，震撼散熱市場。
然而，這一項技術台積電早已研發。去年五月台積電在ECT 2025展示IMEC-Si(矽整合微冷卻器)技術，直接在晶圓背面蝕刻微通道，搭配CoWoS-R封裝與中介層整合，當冷卻水溫度上升到60°C，散熱能力可突破3Kw，與微軟的解法大致相同，只不過牽涉到良率及製程改變，目前還在實驗階段。
「微流體」散熱還有三大挑戰
綜合來看，「微流體」散熱的挑戰有三：
一、冷卻液在晶片上流動，有滲漏的疑慮，封裝技術必須再升級。
二、內部的冷卻液若有微粒或氣泡，可能阻塞通道，影響散熱效能。
三、矽晶圓加入蝕刻通道，整個製程必須大幅調整，成本會增加。
「微流體」是把散熱通道蝕刻在晶片的背面上，這道製程只有台積電能做，可以預見未來晶片散熱一定會和晶片製程整合在一起，只是目前礙於技術瓶頸未能量產。
在過渡之際，散熱廠採用其他變通的方式：
一、把微通道蝕刻在封裝蓋上更接近晶片熱源來散熱，即是微通道蓋(MCL)。
二、抽掉封裝蓋與水冷板中間TIM導熱介質，把微通道直接蝕刻在水冷板上，縮短散熱路徑，就成為微通道水冷板(MLCP)，但仍然屬於外掛冷板。
由於Rubin的TDP（熱設計功耗）可能提升至2,300W，遠高於先前預期的1,800W，市場認為，輝達最快在2026下半年於Rubin GPU「雙晶片版本」中導入微通道蓋(MCL)取代冷板，並有機會在2027年成為主流。
健策切入微通道蓋 奇鋐與雙鴻做微通道水冷板
目前微通道蓋(MCL)發展最快的廠商是健策(3653)，由於MCL是半導體等級的原件，必須與晶圓廠、封測廠密切合作，健策過去在做均熱片時，有相應的產線和設備，內部掌握微通道skiving/CNC微細加工之關鍵製程，MCL產品已獲輝達的認證，有望在今年下半年率先進入市場。
相較於健策切入微通道蓋(MCL)，奇鋐(3017)、雙鴻(3324)則是切入微通道水冷板(MLCP)。奇鋐內部有「微流道X液冷」相關專利，推進新一代微通道水冷板(MLCP)結構技術，應對Kyber架構帶來的更高瓦數挑戰，目前仍在研發與驗證階段，預期最快於2026年下半年小量導入，即先由水冷板小量試產，再逐步放量。
另一家雙鴻同時具備水冷板與均熱片兩大關鍵技術，在微通道水冷板MLCP已與客戶打樣開模，並尋求驗證，預估2027年才會逐步發酵。
強大散熱效能是AI落地關鍵
本次CES展主題為AI落地，黃仁勳強調在物理AI的重大突破，推出Cosmos 世界基礎模型，這是一種針對人形機器人設計的視覺語言動作(VLA)模型，幫助機器人推理情境，理解現實世界。
同時，發表Alpamayo系統，為自駕車帶來推理能力，不只是接收感測器輸入並啟動方向盤與煞車，更能在複雜環境中安全駕駛，並解釋駕駛決策，這些都需要大量的運算及推理能力，而支撐這些運算的能力，即是背後強大的散熱效能。
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