三星電子調整HBM3E 12層產能布局，靈活應對市場變化，全力推進HBM4商業化進程
據業界7月7日消息，三星電子於第二季度末主動調整了HBM3E 12層（第五代高頻寬記憶體）的產能配置，顯示公司正以更加靈活與審慎的策略應對瞬息萬變的高階記憶體市場。儘管與NVIDIA的供應合作尚未最終敲定，但三星電子已提前部署資源，為後續高階AI晶片市場蓄勢待發。
三星電子目前已將HBM3E 12層晶圓的月產量自第二季初期的每月7至8萬片，調整至約3至4萬片，主要是為了更有效地控制庫存水位，並配合即將完成的客戶測試進度，以提升產線彈性與資源調度效率。HBM3E 12層為目前市面上最先進的商用HBM產品，三星電子自2024年第一季起便積極擴大在平澤P1與P3廠的量產規模，提前備貨並強化產品可靠度，為英偉達（NVIDIA）及超微（AMD）等大型客戶做好出貨準備。特別是針對AMD最新AI加速器（如MI325X、MI350X）所需的高頻寬記憶體模組，三星電子展現出領先的供應能力與應變機制。
儘管目前英偉達的測試進程延至今年第三季末完成，並傳出部分產品仍在進行散熱優化，但業界普遍認為，三星電子主動採取的保守性生產策略，有助於降低短期財務壓力，同時保留資源投入更具潛力的未來產品開發。業內人士指出，隨著Google、Meta、AWS等全球雲端服務巨頭積極開發自有AI加速晶片，HBM需求正在從傳統GPU市場擴展至更多ASIC應用，三星電子有望借此拓展非NVIDIA市場，開啟HBM業務的第二成長曲線。
展望未來，三星電子正全力推進下一代HBM4的量產準備，並將其視為鞏固技術領導地位的關鍵。據了解，HBM4核心元件——基於第六代10奈米級製程的1c DRAM，已進入穩定開發階段，部分電路設計也正在進行優化，以確保後續量產的穩定性與效能。
預期HBM用1c DRAM將於今年第三季度通過PRA（內部量產認可），正式為2025年上半年HBM4市場的開局奠定基礎。整體而言，三星電子透過靈活調整產線資源與前瞻技術投入，不僅展現出對市場變化的快速反應能力，也持續穩固其於高頻寬記憶體市場的全球領先地位。
