交通大學校長、中央研究院院士張懋中博士對超高頻半導體通訊元件和系統晶片的創新突破，及其對近代電子學和人類生活、文明所產生的不可或缺影響，榮獲2018 Vladimir Karapetoff科技終身成就獎章，17日(台灣時間)於加拿大溫哥華年會中隆重接受表揚。
Vladimir Karapetoff科技終身成就獎章於1992年成立，旨在表彰工程及科學領域的傑出終身成就。曾獲得2000年諾貝爾物理獎的Jack Kilby；獲得美國總統科學獎章的Tom Kailath；獲得京都獎(Kyoto Prize)的DRAM發明人Robert Dennard；以及發明LED並獲得美國總統科學及工程雙獎章的Nick Holonyak都曾是歷任得主。
張懋中校長在1990年代，於美國洛克威爾科學中心(Rockwell Science Center)高速電子實驗室帶領團隊完成異質結雙極性高速電晶體(HBT) 與積成電路的研究與開發，在成功量產後成為歷代智慧手機必備發射器關鍵元件。其所開發的砷化鎵功率放大器製成的手機信號發射器在全球獨占鰲頭，已超過100億台，成為舉世智慧型手機的首選，對無線通訊產業及學術界造成顛覆性的貢獻。
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